بررسی تجربی لایه های نازک نانو ساختار اکسید روی و کاربرد آن در حسگرهای گازی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود - دانشکده فیزیک
- نویسنده الهام شفقت دهکردی
- استاد راهنما حسین عشقی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1392
چکیده
حسگرهای گازی به قطعاتی اطلاق می شوند که میتوانند غلظت یک گاز بخصوص را به یک سیگنال الکتریکی تبدیل کنند. اکسید روی یکی از مهمترین نیمرساناهایی است که همواره خاصیت حسگری گازی خوبی از خود نشان داده است. در این تحقیق تجربی لایه های نازک نانو ساختار اکسید روی به روش اسپری پایرولیزیز سنتز و خواص فیزیکی گوناگون آنها شامل خواص مورفولوژی، ساختاری، اپتیکی، الکتریکی و همچنین کاربرد آنها در حسگری گاز های الکلی مورد بررسی قرار گرفت. در این تحقیق برای مشخصهیابی نمونهها از دستگاه میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem)، پراش اشعه ایکس (xrd)، طیف سنجی uv-vis، دستگاه اندازه گیری جریان – ولتاژ (i-v) و راکتور حسگر گاز (gsr) استفاده شد. در این تحقیق ما نه تنها به بررسی اثر آلایش (zno:al و zno:sn) بلکه همچنین به تاثیر پیش ماده تامین کننده روی (کلرید روی، نیترات روی و استات روی) در ساخت لایه های نازک اکسید روی خالص به منظور دستیابی به خواص حسگری گاز های الکلی (متانول، اتانول و پروپانول) پرداخته ایم. دریافتیم کلیه نمونه ها دارای آثار نانوساختاری بوده و به صورت بسبلوری در فاز ورتزایت با جهتگیری ترجیحی (002) رشد پیدا کرده اند. معلوم شد که مورفولوژی سطح، ابعاد بلورک ها و خواص الکتریکی لایه ها نقش بسزایی در خواص حسگری آنها در حضور تراکم های پایین گاز در گستره 200 تا ppm 1000 دارند.
منابع مشابه
تأثیر اتمسفر فرآیند پخت روی خواص الکتریکی و نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم
در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (ATZO) به روش سل ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (XRD)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (FE-SEM) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (EDX) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج XRD نشان داد که حضور اتمسفر احیا...
متن کاملساخت لایه های نازک نانومتری اکسید تنگستن جهت کاربرد در حسگرهای گازی
حسگرهای گازی نیمرسانای اکسید فلزی (mos) یکی از سیستم های کارآمد برای تشخیص گازهای متفاوت و اندازه گیری غلظت آن ها هستند. اساس کار حسگرهای گازی نیمرسانا بر اساس اندر کنش گاز lpg با اتم های لایه های سطحی است. این امر موجب تغییر مقاومت سطحی و نیز تغییر سطح نوار انرژی آن ها می شود. در این تحقیق، تأثیر غلظت گاز نمونه، دمای عملکرد و استفاده از آلایش نانوذرات طلا در بهبود کارایی حسگر گازی اکسید تنگستن...
15 صفحه اولتأثیر اتمسفر فرآیند پخت روی خواص الکتریکی و نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم
در این تحقیق لایه نازک نانو ساختار اکسید روی دارای آلایش آلومینیوم و تیتانیم (atzo) به روش سل ژل تهیه گردید. آنالیز فازی توسط تکنیک پراش پرتو ایکس (xrd)، مشاهدات ریز ساختاری و آنالیز عنصری توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fe-sem) و ابزار طیف سنج تفکیک انرژی (edx) انجام شده و زبری سطح با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) مورد بررسی قرار گرفت. نتایج xrd نشان داد که حضور اتمسفر احیای...
متن کاملمقایسه عملکرد حسگرهای گازی نانوساختار و حسگرهای لایه نازک اکسید فلزی
این پایان نامه مشتمل بر پنج فصل است که در فصل اول خواننده با نانوساختارهای یک بعدی و دسته بندی آن ها و روش سنتز آن ها آشنا می شود. در فصل دوم برای آشنایی خواننده، انواع حسگرهای گازی و پارامترهای حسگری آورده شده است. در فصل سوم حسگرهای گازی اکسید-فلز مورد بررسی قرار گرفته است و دسته بندی شده اند و در این فصل به مروری بر مقالات مربوط به حسگرهای گازی اکسید-فلز منتشر شده از سال 2002 تا کنون پرداخته...
15 صفحه اولمطالعه لایه های نازک شفاف و رسانای اکسید ایندیم و پنتاکسید وانادیم در حسگرهای گازی
لایه های نازک نانو ساختار پنتاکسید وانادیم و اکسید ایندیم به روش اسپری پایرولیزز لایه نشانی شدند. دمای زیر لایه برای فیلم های v2o5 بین 300 تا 500 و برای in2o3بین 400 تا 500 درجه سلسیوس تغییر داده شد. خواص ساختاری و مورفولوژیکی فیلم ها به وسیله ی آنالیز های xrd و semو afm مورد مطالعه قرار گرفت. حساسیت فیلم های تهیه شده با دماهای مختلف زیر لایه نسبت به بخار اتانول بررسی شد. تصاویر xrd نشان داد که...
15 صفحه اوللایهنشانی، مشخصهیابی و بررسی خواص الکتریکی نوری لایه نازک نانو ساختار اکسید روی آلاییده شده با منیزیم تهیه شده به روش سل – ژل
اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه نشانی به روش سل – ژل، پوشش های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود - دانشکده فیزیک
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023